[发明专利]嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置有效
| 申请号： | 201911107326.3 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111048507B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 林昆贤;陈子平;庄哲豪;杨敦智 | 申请（专利权）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其包含一P型基板、至少一整流区域和至少一触发器。整流区域包括一第一N型重掺杂区、一N型井区和一第一P型重掺杂区。或者，硅控整流装置包括一N型基板、一第一P型井区、至少一整流区域和至少一触发器。整流区域包括一第二P型井区、一第一N型重掺杂区和一第一P型重掺杂区。触发器与P型基板或第一P型井区形成至少一个N通道金氧半场效晶体管。触发器独立于整流区。第一P型重掺杂区位于在触发器和第一N型重掺杂区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入 通道 金属 氧化 半导体 触发 式硅控 整流 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
