[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质有效
| 申请号： | 201911108953.9 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110684965B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 中田高行;谷山智志;白子贤治 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | C23C16/54 | 分类号： | C23C16/54;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 孙明轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，该基板处理装置具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向移载室的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其设置在上部气体供给机构的下方，并从第2气体供给口向移载室的下部区域供给气体，上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；上部管道，其与第1缓冲室相邻地形成；和第1供给部，其设置在上部管道的下端，下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；下部管道，其与第2缓冲室相邻地形成；和第2供给部，其设置在下部管道的下端。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 以及 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：/n移载室，其将基板移载到基板保持件上；/n上部气体供给机构，其从第1气体供给口向所述移载室的上部区域供给气体；和/n下部气体供给机构，其设置在所述上部气体供给机构的下方，并从第2气体供给口向所述移载室的下部区域供给气体，/n所述上部气体供给机构具有：/n第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；/n上部管道，其与所述第1缓冲室相邻地形成；和/n第1供给部，其设置在所述上部管道的下端，/n所述下部气体供给机构具有：/n第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；/n下部管道，其与所述第2缓冲室相邻地形成；和/n第2供给部，其设置在所述下部管道的下端。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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