[发明专利]湿刻装置及基板湿刻方法有效
| 申请号： | 201911109804.4 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110993529B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 彭钊 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种湿刻装置及面板湿刻方法，该湿刻装置包括刻蚀腔、刻蚀液、以及腔内传送构件，在刻蚀过程中，腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角；通过将腔内传送构件设置成一定的角度，使得基板在刻蚀的过程中呈倾斜状态传送，借助于刻蚀液对基板表面的作用力，加强了基板表面材料与刻蚀液的置换作用，使得反应产物更容易扩散出来，减小了反应产物残留在基板不易扩散图形区域(孔，拐角等)的风险；同时，使得刻蚀液与待反应材料能更有效的接触，降低了刻蚀不完全情况的发生，有利于得到高品质的刻蚀图案。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 基板湿刻 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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