[发明专利]一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3 有效
| 申请号： | 201911110962.1 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110697794B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陶凯;李伟伟;韩磊 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;C01G51/00;C01B21/082;H01G11/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g‑C |
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| 搜索关键词： | 一种 二维 中空 纳米 结构 硫化 base sub | ||
【主权项】：
1.一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C
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