[发明专利]一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201911111531.7 申请日: 2019-11-14
公开(公告)号: CN110808298B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 黄晓峰;张承;王立;唐艳;莫才平;迟殿鑫;崔大健;高新江 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 王海军
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明属于探测器芯片制造技术领域,涉及一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管;台面型光电二极管从上至下叠次连接的N型台面、吸收台面以及P型台面;每个台面的表面覆盖钝化层;在台面型光电二极管的吸收台面中设置有分级势垒层,分级势垒层从上到下共九层结构;所述N型台面上设置有N电极,所述的P型台面上设置有P电极,P电极与N电极形成共平面电极;本发明通过采用分级势垒结构,降低了台面型光电二极管的表面漏电流和体暗电流,从而提高了台面型光电二极管的可靠性。
搜索关键词: 一种 分级 势垒低暗 电流 台面 光电二极管 及其 制作方法
【主权项】:
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