[发明专利]一种SiC MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 201911112126.7 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110830014B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 吴旋律;郎梓淇;吴小华 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/041 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 金凤 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiC MOSFET驱动电路，由于采用巧妙的方式使驱动电路在单电源供电的情况下，实现四电平驱动信号输出；在桥臂另一MOS管开通时刻采用负压关断来避免误导通；在桥臂另一MOS管关断时刻采用零压关断来避免MOS管失效；本发明提供的电路简单易行，而且成本较低；本发明在被驱动MOS管开通关断时刻都采用最大电压驱动，最大化提升开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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