[发明专利]人造石英晶体的优质籽晶片培育法有效
| 申请号： | 201911112170.8 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110747502B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘盛浦;易际让;王晓刚 | 申请（专利权）人： | 山东博达光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/18;B28D5/04 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 271500 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种人造石英晶体的优质籽晶片培育法，包括以下步骤：一、将待切割的人造石英晶体切割成只保留部分正负电轴区域的框架晶体；二、将框架晶体切割成框架籽晶片；三、将框架籽晶片置于高压釜内进行晶体生长；四、将框架晶体长出部分进行切割，得到优质籽晶片。本发明利用在石英晶体的+X方向(正电轴方向)长出的晶体不会遗传继承籽晶片上的缺陷的特点，进行优质籽晶片的培育，将长成部分的晶体进行籽晶片切割，从而得到低腐蚀隧道密度的优质籽晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 人造 石英 晶体 优质 籽晶 培育 | ||
【主权项】：
1.人造石英晶体的优质籽晶片培育法，其特征在于包括以下步骤：/n一、将待切割的人造石英晶体切割成只保留部分正负电轴区域的框架晶体；/n二、将框架晶体切割成框架籽晶片；/n三、将框架籽晶片置于高压釜内进行晶体生长；/n四、将框架晶体长出部分进行切割，得到优质籽晶片。/n
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