[发明专利]一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 201911113373.9 申请日: 2019-11-14
公开(公告)号: CN110803923B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 刘鹏;宋月婵;吴雯雯;雷明亮 申请(专利权)人: 陕西师范大学
主分类号: C04B35/46 分类号: C04B35/46;C04B35/622;C04B35/63;C04B41/88
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 高雪霞
地址: 710062 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法,通过二氧化钛中同时添加三价元素Al和等摩尔质量的五价元素Nb,将预烧粉置于3~12T的磁场下,获得生胚,之后在N2气氛下高温烧结,在陶瓷内部形成“巨缺陷”偶极子,形成较多的局域化电子,获得巨介电陶瓷,且在磁场下会使此类偶极子被磁场定向,限制自由电荷的移动从而提高电阻率和降低介电损耗。本发明制备的陶瓷表现出了优良的温度稳定性和频率稳定性,相对介电常数大于103,介电损耗可达到0.05~0.1,电阻率可达到107~109Ω·cm,属于环境友好型电子材料,在要求小型化、轻量化的多层电子元件电容器中具有实际的应用价值。
搜索关键词: 一种 还原 气氛 具有 电阻率 介电常数 损耗 氧化 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
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