[发明专利]一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置在审
| 申请号： | 201911117391.4 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110644048A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 胡丹;于金凤;朱刘 | 申请（专利权）人： | 广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/36;C23C16/455;C23C16/32 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置，属于化学气相沉积技术领域。本发明通过先将化学气相沉积室在2～4h内升温至400～500℃，保温4～6h，再在4～10h内升温至1100～1500℃，保温1～2h，再进行化学气相沉积，然后在30～55h内降温至700～800℃，保温4～6h，再在40～60h内降温至室温，确保得到的碳化硅产品完整，无开裂，纯度更高，表面更平整、更光滑，颗粒更小；通过将沉积腔室被设有孔洞的隔板分隔为化学气相沉积室和收尘室，化学气相沉积室的进气口和收尘室的出气口均位于孔洞的上方，使气流以Z字形方式在腔室内流动，延长其在腔室中的行走路径和停留时间，增加甲基三氯硅烷的分解度，提高成品率，同时减少甲基三氯硅烷进入后端出气管道，避免管道堵塞，保证生产顺利进行。 | ||
| 搜索关键词： | 化学气相沉积室 化学气相沉积 保温 孔洞 甲基三氯硅烷 收尘室 进气口 隔板 碳化硅产品 沉积腔室 出气管道 管道堵塞 室内流动 行走路径 成品率 出气口 分解度 碳化硅 多晶 分隔 腔室 光滑 制备 平整 停留 保证 生产 | ||
【主权项】：
1.一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将石墨件置于化学气相沉积室中，抽真空，再升温，之后保温，通入载气至压力稳定，再通入所述载气、氢气和甲基三氯硅烷的混合气进行沉积并控制所述化学气相沉积室内的压力为5000～50000Pa，沉积结束后，停止通气，降温至室温，得到块状的多晶碳化硅；所述升温的程序为先在2～4h内升温至400～500℃，保温4～6h，再在4～10h内升温至1100～1500℃，保温1～2h。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东先导稀材股份有限公司，未经广东先导稀材股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911117391.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
