[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911117619.X | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN112820821A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 吴家荣;黄瑞民;蔡雅卉;张翊凡;王裕平 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于一基底上，然后形成一上电极于该MTJ堆叠结构上，进行一第一图案化制作工艺沿着一第一方向去除该MTJ堆叠结构，再进行一第二图案化制作工艺沿着一第二方向去除该MTJ堆叠结构以形成多个MTJ于该基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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