[发明专利]磁隧道结存储单元及存储器有效
| 申请号： | 201911117972.8 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110931633B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 林晓阳;尉国栋;范晓飞;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;周永君 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁隧道结存储单元及存储器。该磁隧道结存储单元包括：顶端电极、铁磁自由层、隧穿层、铁磁参考层、相变层、铁磁被钉扎层、反铁磁钉扎层和底端电极；相变层位于铁磁参考层和铁磁被钉扎层之间，具有响应于外部温度变化或外部光照变化的相变特征；其中，铁磁被钉扎层具有固定的磁化方向；铁磁参考层位于相变层和隧穿层之间，具有响应于相变特征的变化的磁化方向；反铁磁钉扎层位于铁磁被钉扎层和底端电极之间，具有固定的磁化方向；铁磁自由层位于隧穿层和顶端电极之间，具有固定的磁化方向，可以在无磁环境下完成信息写入，降低了功耗和加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 结存 单元 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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