[发明专利]封装结构及其形成方法在审
申请号: | 201911118939.7 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN111508907A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 李芃昕 | 申请(专利权)人: | 台达电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/495 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 谢强;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种封装结构,包含第一导电层、第二导电层以及隔离层。第一导电层包含多个第一部分,且第二电层包含多个部分。隔离层位在第一导电层与第二导电层之间,隔离层由氮化物及氧化物中的一者与树脂及聚合物中至少一者混合而成。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子工业股份有限公司,未经台达电子工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911118939.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图像传感器
- 下一篇:载波相位同步处理方法、装置、终端及存储介质