[发明专利]PECVD淀积非晶硅薄膜的方法及其应用在审
| 申请号： | 201911119295.3 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110760925A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 许佳平;曹育红;罗西佳;符黎明 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B29/06;C30B33/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，在开始沉积非晶硅之后，且在非晶硅薄膜沉积完成之前，进行退火。本发明在PECVD淀积非晶硅薄膜的过程中增加退火工艺，将原本连续的非晶硅薄膜沉积过程，划分成若干阶段，每个阶段都进行退火；这一方面可以改善沉积过程中由于等离子体轰击引起的薄膜内应力不均匀的情况，减小薄膜内应力；另一方面，通过分阶段沉积和退火，逐步使非晶硅内部的部分Si‑H键断裂、释放出H | ||
| 搜索关键词： | 沉积 退火 非晶硅薄膜 淀积非晶硅薄膜 非晶硅 减小 薄膜 等离子体轰击 高温晶化 退火工艺 不均匀 分阶段 断裂 释放 | ||
【主权项】：
1.PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，在开始沉积非晶硅之后，且在非晶硅薄膜沉积完成之前，进行退火。/n
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