[发明专利]发光二极管以及发光二极管制备方法有效
| 申请号： | 201911119309.1 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110707188B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王晟 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 石慧 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本申请提供一种发光二极管以及发光二极管制备方法。AlN层可以提高能阶，阻挡电子溢流。掺镁In |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底(10)；/n缓冲层(20)、氮化镓层(30)、N型半导体层(40)、应力释放层(50)以及多量子阱层(60)，在所述衬底(10)表面依次层叠设置；/nP型半导体层(70)，设置于所述多量子阱层(60)远离所述应力释放层(50)的表面；/n所述P型半导体层(70)包括多个子半导体层(710)，所述多个子半导体层(710)层叠设置于所述多量子阱层(60)远离所述应力释放层(50)的表面；/n每个所述子半导体层(710)包括AlN层(711)、掺镁In
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