[发明专利]一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911119966.6 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110854191A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 袁磊 | 申请（专利权）人： | 合肥中恒微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，其中沟槽型绝缘栅双极晶体管核心改进点在于沟槽底部的无效区域填充有高密度氮化硅。本发明通过在沟槽底部的无效区域内填充高性能电绝缘材料高密度氮化硅，不仅解决了沟槽栅底部栅氧厚度不均匀的问题，保证了栅氧厚度的一致性，而且完全利用了沟槽侧壁栅氧的有效深度，消除了栅氧击穿电压弱点，改善了栅氧击穿电压的鲁棒性，同时减少了栅漏电容迭代的面积，进而减少了栅漏之间的米勒电容，降低了开关延迟时间，改善了开关特性，减少了器件的开关动态损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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