[发明专利]发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911120025.4 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110767789A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 马新刚;赵进超;李萌;李超;李东昇 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11449 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡纯;刘静 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底和依次堆叠在衬底上的N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，P型氮化镓层上开设有延伸至N型氮化镓层的凹槽，发光二极管还包括：电流扩展层，堆叠在P型氮化镓层上，且开设有延伸至P型氮化镓层的第一通孔；保护层，堆叠在电流扩展层和凹槽的表面上，保护层开设有延伸至电流扩展层且与第一通孔垂直连通的第二通孔，并在凹槽内开设有延伸至N型氮化镓层的第三通孔；第一类型焊盘，位于第一通孔和第二通孔内，且部分覆盖保护层的表面；以及第二类型焊盘，位于第三通孔内且部分覆盖保护层的表面。该发光二极管可以有效避免封装过程中焊盘的脱落且增加了焊线面积。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 发光二极管 电流扩展层 堆叠 焊盘 覆盖保护层 延伸 保护层 衬底 垂直连通 封装过程 发光层 焊线 内开 制备 申请 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括衬底和依次堆叠在所述衬底上的N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，所述P型氮化镓层上开设有延伸至所述N型氮化镓层的凹槽，其中，所述发光二极管还包括：/n电流扩展层，堆叠在所述P型氮化镓层上，且开设有延伸至所述P型氮化镓层的第一通孔；/n保护层，堆叠在所述电流扩展层和所述凹槽的表面上，所述保护层开设有延伸至所述电流扩展层且与所述第一通孔垂直连通的第二通孔，并在所述凹槽内开设有延伸至所述N型氮化镓层的第三通孔；/n第一类型焊盘，位于所述第一通孔和所述第二通孔内，且部分覆盖所述保护层的表面；以及/n第二类型焊盘，位于所述第三通孔内且部分覆盖所述保护层的表面。/n
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