[发明专利]发光二极体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201911120205.2 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN112310256B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 郭修邑 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极体结构及其制造方法。发光二极体结构包括半导体叠层及支撑断点。半导体叠层包括第一半导体层、发光层、及第二半导体层。第一半导体层具有暴露在外的发光面，且发光面具有粗糙纹理。发光层设置在第一半导体层上。第二半导体层设置在发光层上，并且第二半导体层具有与第一半导体层不同的型态。支撑断点位于发光面上。此发光二极体结构可以应用于广色域(WCG)背光模块或超薄(ultra‑thin)背光模块，且可以减少转移时间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 二极体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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