[发明专利]一种直拉单晶用新型籽晶及熔接工艺在审
| 申请号： | 201911121016.7 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110670122A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 郭谦;张文霞;武志军;霍志强;钟旭;宋瑞强;景吉祥;李晓东;康学兵;高润飞;徐强;谷守伟 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B29/06 |
| 代理公司： | 12213 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种直拉单晶用新型籽晶，包括依次同轴连接的一级晶段、二级晶段和三级晶段，其特征在于，还包括延长晶段，所述延长晶段置于所述三级晶段远离所述二级阶段一侧，所述延长晶段沿所述三级晶段轴线方向向外且与所述三级晶段一体连接设置，所述延长晶段为锥形结构，所述延长晶段的大径端面与所述三级晶段外径相同。本发明还提供一种直拉单晶用新型籽晶的熔接工艺。本发明提供的一种直拉单晶用新型籽晶，尤其是适用于至少一次熔接的单晶拉制，解决了现有技术中的籽晶容易导致扩肩或等径前期断苞的技术问题，有利于在熔接时减少对单晶生长的热冲击力，减少单晶生长时位错的产生，提高单晶一次成晶率，降低生产成本，提高单晶产能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶段 籽晶 直拉单晶 熔接 单晶生长 单晶 一体连接设置 单晶拉制 同轴连接 轴线方向 锥形结构 产能 大径 等径 时位 冲击力 | ||
【主权项】：
1.一种直拉单晶用新型籽晶，包括依次同轴连接的一级晶段、二级晶段和三级晶段，其特征在于，还包括延长晶段，所述延长晶段置于所述三级晶段远离所述二级阶段一侧，所述延长晶段沿所述三级晶段轴线方向向外且与所述三级晶段一体连接设置，所述延长晶段为锥形结构，所述延长晶段的大径端面与所述三级晶段外径相同。/n
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