[发明专利]一种氧化镓外延薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201911123810.5 | 申请日： | 2019-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN110867368A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 郭道友;王顺利;吴超 | 申请（专利权）人： | 金华紫芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18;C30B25/02;C30B29/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 321042 浙江省金华市金*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种氧化镓外延膜的制备方法。该方法以金属镓为镓源，氧气作为氧源，氩气作为运输气体，(0001)面Al |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 外延 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
