[发明专利]ESD保护的栅极接地MOS结构有效
| 申请号： | 201911125437.7 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN111009525B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 邓樟鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体集成电路器件，具体涉及一种静电释放(Electro Static Discharge，ESD)保护的栅极接地NMOS管结构。ESD保护的栅极接地MOS结构，包括第一导电类型阱区和第二导电类型阱区，第二导电类型阱区环绕在第一导电类型阱区外侧；第一导电类型阱区中形成第二导电类型扩散区，和环绕第二导电类型扩散区的第一导电类型阱环区；第二导电类型扩散区中形成多个第二导电类型注入区，多个第二导电类型注入区间隔排布，相邻两个第二导电类型注入区的间隔上形成栅极，栅极接地；第二导电类型阱区中设有第二导电类型注入区。通过多指状MOS管和双层保护环能够对输入输出端和电源端同时进行静电保护。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 栅极 接地 mos 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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