[发明专利]硅基微显示屏及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911125609.0 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN110718579A 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 杨小龙;杜晓松;周文斌;张峰;孙剑;高裕弟 申请(专利权)人: 昆山梦显电子科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00
代理公司: 32278 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 钱伟
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种硅基微显示屏及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:提供硅基板,在硅基板上定义若干子像素区域,并在所述硅基板上各个子像素区域分别依次制备阳极层、OLED层、阴极层及第一保护层;刻蚀第一子像素区域的阴极层及保护层;等离子体轰击并去除暴露的OLED层;在阴极层、保护层及OLED层的侧面形成第二保护层;依次形成其他子像素;基于以上步骤的结果来加工形成硅基微显示屏。本发明将刻蚀及镀膜工艺置于真空环境下进行,防止OLED层被水汽和氧气入侵,延长硅基微显示屏的使用寿命。
搜索关键词: 子像素区域 微显示屏 硅基板 阴极层 硅基 制备 保护层 刻蚀 等离子体轰击 第二保护层 第一保护层 镀膜工艺 使用寿命 真空环境 水汽 阳极层 子像素 去除 氧气 入侵 侧面 暴露 加工
【主权项】:
1.一种硅基微显示屏制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:提供一硅基板,在硅基板上定义若干子像素区域,并在所述硅基板上各个子像素区域制备阳极层;/nS2:在所述子像素区域分别依次蒸镀OLED层、阴极层及第一保护层,以覆盖所述阳极层及硅基板;/nS3:采用黄光工艺及刻蚀工艺刻蚀第一子像素区域的阴极层及保护层;/nS4:等离子体轰击并去除暴露的OLED层;/nS5:在刻蚀后的阴极层、保护层及OLED层的侧面形成第二保护层,完成第一子像素的制作;/nS6:依次对其他子像素区域执行上述步骤S3至S5,直至形成各子像素;及/nS7:基于以上步骤的结果来加工形成硅基微显示屏。/n
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