[发明专利]LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201911125980.7 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110783434A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 朱玲;吴懿平;吕卫平;胡俊华 | 申请（专利权）人： | 深圳远芯光路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44528 深圳中细软知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭佳伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED芯片及其制备方法，LED芯片上形成有由依次贯穿n型材料层、多量子阱层和p型材料层的纳米柱组成的第一纳米柱区域和第二纳米柱区域。这种LED芯片上形成有第一纳米柱区域和第二纳米柱区域，结合实验数据，纳米柱的直径变化可以改变纳米柱内的多量子阱层的发光波长，通过第一纳米柱区域内的纳米柱的直径大于第二纳米柱区域内的纳米柱的直径，从而可以使得第一纳米柱区域和第二纳米柱区域分别发出波长不同的光，从而使得这种LED芯片可以实现多彩显示。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米柱 多量子阱层 发光波长 结合实验 直径变化 波长 制备 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括依次层叠的基层、第一金属层、p型材料层、多量子阱层、n型材料层以及第二金属层；/n所述LED芯片上形成有由依次贯穿所述n型材料层、所述多量子阱层和所述p型材料层的纳米柱组成的第一纳米柱区域和第二纳米柱区域，所述第一纳米柱区域内的纳米柱的直径大于所述第二纳米柱区域内的纳米柱的直径。/n
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