[发明专利]一种新型72对棒还原炉高压击穿系统及其方法

摘要

本发明公开了一种新型72对棒还原炉高压击穿系统及方法，该方法为击穿第1相硅芯时，先击穿8对硅芯，由于击穿后的电压只需最高击穿电压的1/4，因此将这8对硅芯由4面高压击穿柜维持，另外4面高压击穿柜再去击穿第一相剩下的4对硅芯，12对硅芯击穿后再统一交由功率控制柜控制。在前3相硅芯击穿后，整个还原炉温度上升，剩下的后3相硅芯的击穿电压是前3相硅芯的一半以下，因此用一面高压击穿柜同时击穿2对硅芯，6面高压击穿柜同时工作，击穿12对硅芯，击穿完成后交由控制柜控制。本发明缩短了硅芯的高压维持时间，在可以快速击穿的同时，减小了长时间维持高压状态对硅芯的损伤，将高压击穿柜由传统的12面减少为8面，节省了设备投资。

主权项

1.一种新型72对棒还原炉高压击穿系统，包括硅芯和底盘，所述硅芯共有72对并在底盘上按同心圆布置形成6个分布圆，所述硅芯分为1～6相，每相包括12对硅芯，每相中各硅芯串接并分组设置，其特征在于：/n所述系统还包括8个高压击穿柜和至少1个功率控制柜，所述高压击穿柜串接每相硅芯，能够为硅芯加载电压以进行击穿和维持；所述功率控制柜串接6相硅芯，能够在每相硅芯被击穿后以恒定电流加热该相硅芯；/n所述第1～3相硅芯中每相的12对硅芯设置为两组，第1组包括8对硅芯，第2组包括4对硅芯，所述第1组的8对硅芯由第1～4个高压击穿柜进行击穿并维持，所述第2组的4对硅芯由第5～8个高压击穿柜进行击穿；/n所述第4～6相硅芯中每相的12对硅芯仅设置为一组，并由第1～6个高压击穿柜进行击穿。/n