[发明专利]多层结构在审

专利信息
申请号: 201911128070.4 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN112864122A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 陈士弘 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/528;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种多层结构,包括一衬底以及多个次叠层。次叠层分别沿着第一方向延伸,并沿着第二方向排列于衬底的一上表面上。各个次叠层包括沿着一第三方向交替叠层于上表面上的多个绝缘层以及多个图案化牺牲层、沿着第三方向与绝缘层交替叠层于上表面上的多个导电层、以及沿着第三方向延伸的多个层间连接件。其中,图案化牺牲层具有第一侧及相对于第一侧的第二侧,导电层包括对应于第一侧的多个第一侧导电层以及对应于第二侧的多个第二侧导电层。其中,层间连接件电性连接且直接接触于对应的导电层。第一方向、第二方向及第三方向互相交叉。
搜索关键词: 多层 结构
【主权项】:
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