[发明专利]形成环绕式栅极场效晶体管的方法在审
| 申请号： | 201911129705.2 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN111200064A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 堤姆斯·文森;马库斯琼斯亨利库斯·范达尔;荷尔本·朵尔伯斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成环绕式栅极场效晶体管的方法，包括以下步骤。形成环绕纳米碳管的通道部分的栅极结构。形成环绕纳米碳管的源极/漏极延伸部分的内部间隔物，源极/漏极延伸部分自纳米碳管的通道部分向外延伸。内部间隔物包括形成界面偶极子的两个介电层。界面偶极子将掺杂引入至纳米碳管的源极/漏极延伸部分。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 环绕 栅极 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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