[发明专利]一种芯片内嵌的flash存储器、芯片以及芯片的启动方法在审

专利信息
申请号: 201911130425.3 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN110928499A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 洪灏;刘浩;张静;李应浪;郑思;唐振中 申请(专利权)人: 珠海泰芯半导体有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F8/654;G06F21/79
代理公司: 广东朗乾律师事务所 44291 代理人: 闫有幸
地址: 519000 广东省珠海市高新区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种芯片内嵌的flash存储器、芯片以及芯片的启动方法;所述flash存储器划分有主存储空间以及副存储空间;所述主存储空间具有用于存储程序代码的程序代码存储区,所述程序代码存储区为可写存储区;所述副存储空间划分有校准参数存储区、固有参数存储区、芯片配置存储区、启动代码存储区;所述校准参数存储区用于存储芯片的校准参数,为一次性可编程且不可读的存储区;所述固有参数存储区用于存储芯片的固有参数,为一次性可编程且可读存储区;所述芯片配置存储区用于储存芯片的配置方案,为可写存储区;所述启动代码存储区用于存储芯片的Bootloader启动代码,为可写存储区。本发明的芯片具有成本低、灵活性与容错率大的优点。
搜索关键词: 一种 芯片 flash 存储器 以及 启动 方法
【主权项】:
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