[发明专利]一种基于poket结构的TFET器件

摘要

本发明公开了一种基于poket结构的TFET器件，包括衬底、晶化层、两个栅极、源极、漏极、两个栅介质层、硅基沟道和口袋，衬底、晶化层、两个栅极、源极、漏极、两个栅介质层、硅基沟道和口袋分别为长方体结构，晶化层固定设置在衬底上，晶化层的下端面与衬底的上端面贴合，源极、口袋、硅基沟道和漏极按照从左到右的顺序排布在晶化层上，第一栅介质层位于硅基沟道和口袋的前侧，第一栅极位于第一栅介质层的前侧，第二栅介质层位于硅基沟道和口袋的后侧，第二栅极位于第二栅介质层的后侧；优点是具有较大的导通电流，在集成电路设计领域应用时，采用较少的数量即可实现集成电路的大驱动电流，从而可以减小集成电路的面积和功耗。