[发明专利]纠错码电路、半导体存储器装置以及存储器系统有效

专利信息
申请号: 201911132195.4 申请日: 2019-11-19
公开(公告)号: CN111327331B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 赵诚慧;李起准;李明奎;孔骏镇 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H03M13/11 分类号: H03M13/11
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王兆赓;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了纠错码电路、半导体存储器装置以及存储器系统。半导体存储器装置的纠错码电路包括校正子生成电路和纠正电路。响应于解码模式信号,校正子生成电路通过使用第一奇偶校验矩阵和第二奇偶校验矩阵中的一个基于从存储器单元阵列读取的码字中的消息和第一奇偶校验位,来生成校正子。纠正电路接收所述码字,基于校正子纠正所述码字中的(t1+t2)个错误位的至少一部分,并输出纠正的消息。这里,t1和t2分别是大于0的自然数。
搜索关键词: 纠错码 电路 半导体 存储器 装置 以及 系统
【主权项】:
暂无信息
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