[发明专利]单扩散区切断的形成方法在审
| 申请号： | 201911132956.6 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110867413A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 颜天才;苏炳熏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种单扩散区切断的形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：在硅衬底上形成若干条状鳍片和虚拟栅极，虚拟栅极的两侧形成有侧墙；在条状鳍片上形成源极和漏极；沉积层间介质层，并对层间介质层进行CMP，露出虚拟栅极的顶部；将虚拟栅极替换为金属栅极；刻蚀金属栅极的顶部，得到接触窗口；进行光刻工艺，露出部分金属栅极，露出的金属栅极用于制作单扩散区切断；刻蚀露出的金属栅极及露出的金属栅极下方的硅，形成单扩散区沟槽；沉积填充材料并进行CMP，形成单扩散区切断，填充材料用于填充接触窗口和单扩散区沟槽。解决了现有单扩散区切断的方法容易造成器件性能变差的问题；达到了提高器件性能和良率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 切断 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
