[发明专利]透明银电极的制备方法有效
申请号: | 201911133236.1 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110931165B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 张愉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01B13/00;H01B5/14 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种透明银电极的制备方法,包括如下步骤:步骤S1、提供一基板;步骤S2、通过软模板与前驱体形成复合结构于所述基板上,所述软模板为柔性分子,所述前驱体为银纳米晶,所述柔性分子通过模板剂与软模板合成方法组装形成具有介观结构的液晶相,并进一步与所述银纳米晶协同组装为所述复合结构;步骤S3、去除所述模板剂,通过退火、烘烤、紫外光照、或者溶剂洗涤其中之一去除所述复合结构中的所述模板剂,得到所述透明银电极。 | ||
搜索关键词: | 透明 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的