[发明专利]鳍体的制造方法在审
| 申请号： | 201911133315.2 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110838449A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 宋洋;王昌锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种鳍体的制造方法，包括步骤：步骤一、提供半导体衬底，定义出鳍体的形成区域；第二、对半导体衬底进行干法刻蚀形成多个鳍体，各鳍体之间为浅沟槽；步骤三、进行疏水处理使所述浅沟槽内侧表面具有合适的亲水疏水状态；步骤四、对浅沟槽的表面进行清洗，以去除鳍体的干法刻蚀中所产生的聚合物；清洗完成后进行烘烤。本发明能减少对鳍体产生的表面张力，从而能防止鳍体产生粘连或倒塌。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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