[发明专利]键合标记的制备方法、晶圆键合方法、键合标记及半导体器件在审
| 申请号： | 201911136266.8 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110854053A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 毛益平;姬峰;彭翔;王奇伟;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种键合标记的制备方法，包括：步骤S1：在承载晶圆上通过刻蚀形成沟槽；步骤S2：在沟槽中填充金属；步骤S3：除去承载晶圆表面的金属，以保留所述沟槽中填充的金属，从而在所述承载晶圆上形成键合标记。所述键合标记的制备方法在蚀刻形成沟槽后，通过在沟槽中沉积金属改善标记表面的识别，并降低沟槽带来的键合空隙的风险，提高键合质量。进一步，本发明还提供了一种基于上述的方法制备得到的键合标记，所述键合标记具有清晰的分界线，易于识别，降低识别的失败率，能够减少晶圆报废率，提高产能。再进一步，本发明还提供了一种晶圆键合方法以及基于上述所述的晶圆键合方法制备得到的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 标记 制备 方法 晶圆键合 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911136266.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
