[发明专利]一种Ag2

摘要

本发明公开了一种Ag2S薄膜的制备方法，通过将衬底放置于原子层沉积的反应腔室中，将所述反应腔室抽真空且分别对衬底、所述反应腔室、管路与反应源加热至指定温度，其中，所述反应源包括银源和硫源；以第一脉冲时间将所述银源通入所述反应腔室，用惰性气体以第一吹扫时间吹扫所述反应腔室；以第二脉冲时间将所述硫源通入所述反应腔室，用所述惰性气体以第二吹扫时间吹扫所述反应腔室；所述银源与所述硫源在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得硫化银薄膜样品。解决了现有技术中存在无法精确控制硫化银薄膜的厚度，同时无法大规模生产硫化银薄膜的技术问题，达到了硫化银薄膜维持良好的三维保形性，薄膜厚度在单原子层量级的精确可控，能够适合大规模生产的技术效果。