[发明专利]形成封装的方法以及集成电路器件的封装有效
| 申请号： | 201911139975.1 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111211058B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;陈明发;胡致嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法，包括：抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔、在所述半导体衬底上形成第一介电层、以及在所述介电层中形成多个接合焊盘。所述多个接合焊盘包括有源接合焊盘和伪接合焊盘。所述有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔。所述第一管芯接合至第二管芯，所述有源接合焊盘和所述伪接合焊盘均接合至所述第二管芯中的对应的接合焊盘。本发明的实施例涉及形成封装的方法、以及集成电路器件的封装。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 封装 方法 以及 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
