[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201911141072.7 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111200012A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 游家权;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 傅磊;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的实施例提供了一种半导体装置及其形成方法。在一个实施例中，一个根据本公开的半导体装置包含延伸自基板的鳍片、位于鳍片的通道区上的栅极结构、位于鳍片的源极/漏极区上的源极/漏极接触件、与栅极结构相邻的栅极切割部件、与源极/漏极接触件相邻的源极/漏极接触隔离部件、沿着栅极切割部件延伸的侧壁及栅极结构的侧壁延伸的间隔物、沿着源极/漏极接触隔离部件的侧壁及源极/漏极接触件的侧壁延伸的衬层、及被间隔物及衬层夹住的气隙。栅极切割部件及源极/漏极接触隔离部件被间隔物、气隙、及衬层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911141072.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电感器、滤波器和多路复用器
- 下一篇：用于利用超声的弹性模式成像的开关电容器
- 同类专利
- 专利分类
