[发明专利]一种单斜相钽铌酸铽磁光晶体及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201911141378.2 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110699751A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 丁守军;黄仙山;唐绪兵;任浩;葛瑞 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/20;G02F1/09 |
| 代理公司： | 34120 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 徐文恭 |
| 地址： | 243002 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单斜相钽铌酸铽磁光晶体及其制备方法和应用，涉及磁光晶体及器件领域，该单斜相钽铌酸铽磁光晶体的化学式为TbTa | ||
| 搜索关键词： | 磁光晶体 单斜 酸铽 钽铌 提拉法晶体生长 制备方法和应用 磁光传感器 磁光调制器 磁光隔离器 近红外区域 磁光开关 磁光器件 磁光性能 电子交换 对称结构 高透过率 器件领域 稀土离子 优质单晶 低成本 生长 熔体 组份 制作 生产 | ||
【主权项】：
1.一种单斜相钽铌酸铽磁光晶体，其特征在于，所述磁光晶体的化学式为TbTa
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