[发明专利]晶圆制备方法有效
| 申请号： | 201911141891.1 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111081787B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹;李武华 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 秦莹 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆制备方法，所述方法包括：在完成N型衬底、N型外延层、以及进行了孔刻蚀的氧化层的制备后，在晶圆上溅射、光刻以及刻蚀所述金属铝层；将清洗后的晶圆通过焊接层蒸发炉蒸镀焊接层；对蒸镀焊接层后的晶圆进行腐蚀，去除掉没有焊接层覆盖的金属铝层；对所述焊接层进行光刻、刻蚀，最后减薄形成正面电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 方法 | ||
【主权项】：
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