[发明专利]具有经调整的栅极-源极距离的HEMT晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201911142971.9 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111199883B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有经调整的栅极‑源极距离的HEMT晶体管及其制造方法。一种HEMT，包括：异质结构；异质结构上的电介质层；在贯穿电介质层的厚度上延伸的栅极电极；源极电极；以及漏极电极。电介质层在栅极电极和漏极电极之间延伸，而在栅极电极和源极电极之间不存在电介质层。以这样的方式，可以在没有由于朝向源极电极延伸的场板所导致的约束下，设计栅极电极和源极电极之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 调整 栅极 距离 hemt 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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