[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201911143344.7 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111354682B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 金德容;吴容哲 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：接收基板，所述基板具有在其上限定的第一、第二区域以及在它们之间形成的绝缘结构；形成栅极堆叠，所述栅极堆叠横跨所述第一、第二区域延伸，且包括介电层和在其上形成的栅极多晶硅层；形成覆盖所述第二区域的第一阱掩模，其中，所述第一阱掩模限定第一开口，所述第一开口暴露所述第一区域上的所述栅极多晶硅层的一部分；通过所述第一阱掩模的第一开口并穿过所述栅极堆叠，进行第一掺杂工艺，以在所述基板中第一开口下形成第一阱；通过所述第一阱掩模对所述栅极多晶硅层进行第二掺杂工艺，以形成第一栅极导体。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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