[发明专利]Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器在审
| 申请号： | 201911144229.1 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112825262A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 朱长峰;谢瑞杰 | 申请（专利权）人： | 合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司;上海格易电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/30;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器。该方法包括：监测到开始对所述选中存储单元阵列的第一衬底放电时，将所述第一衬底中的电荷共享至非选中存储单元阵列的第二衬底，使所述第二衬底获得第一电压；监测到开始对所述第一衬底充电时，基于所述第一电压对所述第一衬底充电，使所述第一衬底获得第二电压；在所述第二电压的基础上将所述第一衬底充电至目标电压。通过上述技术方案，将第一衬底放电的电荷共享至第二衬底，利用第二衬底中存储的电荷给第一衬底充电，实现了放电电荷的重复利用，降低擦除操作中充放电的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | nand flash 电压 控制 方法 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
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