[发明专利]一种互连结构的形成方法及互连结构有效
| 申请号： | 201911144748.8 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN112825307B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 纪登峰;金懿;邵群 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构及其形成方法，方法包括：在介质层的第一区域内形成第一沟槽，在介质层的第二区域内形成第二沟槽，第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度；在第一沟槽的侧壁和所述第二沟槽的侧壁形成阻挡层，阻挡层的顶面低于介质层的顶面；之后对第一沟槽侧部和第二沟槽侧部的介质层进行刻蚀处理，使第二区域上的剩余的介质层的顶面高于第一区域上的剩余的介质层的顶面；之后在第一沟槽和第二沟槽内、及介质层和阻挡层的顶部形成沟槽填充材料层；对沟槽填充材料层和介质层进行研磨至暴露出阻挡层顶面，以在第一沟槽中形成第一导电填充层，在第二沟槽中形成第二导电填充层。所述方法降低了第一导电填充层顶面和第二导电填充层顶面之间的高度差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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