[发明专利]一种高掺杂半导体掺杂浓度的测算方法在审
| 申请号： | 201911144858.4 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111024745A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈施施;张新河;温正欣;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | G01N24/14 | 分类号： | G01N24/14;G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体材料及工艺测试领域，公开了一种高掺杂半导体掺杂浓度的测算方法。该方法的实施步骤至少包括：S1.利用回旋共振实验测算等效态密度N |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 半导体 浓度 测算 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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