[发明专利]基础电路板制作工艺及基础电路板在审
申请号: | 201911145198.1 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110752161A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 邹时月 | 申请(专利权)人: | 邹时月 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 44632 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 霍如肖 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及基础电路板制作工艺及基础电路板,包括:封装基板的芯片焊盘处设置上下导通的导通孔,芯片焊盘的上部焊接硅芯片,封装基板的芯片焊盘部位的底部设置有导热铜垫;在陶瓷基板上制作铜垫卡槽和卡接铜柱,封装基板的厚度方向上设置有3个以上的卡接孔,卡接铜柱的直径为卡接孔的孔径的95%~99%,卡接铜柱与卡接孔装配,散热铜垫位于铜垫卡槽内,散热铜垫的周侧及底部与铜垫卡槽之间设置有3~20μm的间隙;通过镀铜工艺,填充散热铜垫的周侧及底部与铜垫卡槽之间的间隙,同时填充卡接铜柱与卡接孔之间的间隙,实现封装基板与陶瓷基板的装配,封装基板充当中介,利用电镀铜工艺实现芯片与陶瓷基板的散热铜垫卡槽一体化连接,能够大大提高散热效率。 | ||
搜索关键词: | 铜垫 封装基板 卡槽 散热 卡接 铜柱 陶瓷基板 芯片焊盘 卡接孔 填充 装配 电路板制作工艺 电路板 硅芯片 导热 电镀铜工艺 一体化连接 散热效率 导通孔 导通 镀铜 接孔 焊接 芯片 中介 制作 | ||
【主权项】:
1.一种基础电路板制作工艺,其特征在于,包括:/nA.在封装基板(3)的芯片焊盘(34)处设置上下导通的导通孔(33),通过镀铜及填孔工艺,将所述导通孔(33)填充为实心的导电孔,所述导通孔(33)为呈阵列分布的9个以上的孔,所述芯片焊盘(34)的上部焊接硅芯片(1),所述封装基板(3)的芯片焊盘(34)部位的底部设置有导热铜垫(31);/nB.在陶瓷基板(2)上通过蚀刻工艺制作铜垫卡槽(21)和卡接铜柱(22),所述封装基板(3)的厚度方向上设置有3个以上的卡接孔(32),所述陶瓷基板(2)上设置有3个以上的卡接铜柱(22),所述卡接铜柱(22)的直径为所述卡接孔(32)的孔径的95%~99%,所述卡接铜柱(22)与所述卡接孔(32)装配,所述散热铜垫(31)位于所述铜垫卡槽(21)内,所述散热铜垫(31)的周侧及底部与所述铜垫卡槽(21)之间设置有3~20μm的间隙;/nC.通过镀铜工艺,填充所述散热铜垫(31)的周侧及底部与所述铜垫卡槽(21)之间的间隙,同时填充卡接铜柱(22)与所述卡接孔(32)之间的间隙。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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