[发明专利]一种高硬度低吸收氮化硅薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种高硬度低吸收Si3N4薄膜的制备方法，属于光学薄膜技术领域。本发明提供一种高硬度低吸收离子束溅射Si3N4薄膜的制备方法，通过采用双离子束溅射沉积技术，通过改变主离子源和辅助离子源的工艺参数，以及真空室和辅助离子源通入氮气的流量，可实现高硬度低吸收Si3N4薄膜的制备。结果表明，该方法将大大提高Si3N4薄膜的硬度和降低吸收损耗，作为最外层保护薄膜，对于高性能中波红外硬质保护薄膜窗口的制备具有重要的作用。本发明对于不同离子源参数制备Si3N4薄膜具有普适性。