[发明专利]一种三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法有效
申请号: | 201911148774.8 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110867383B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 申绪男;张超;冯洋 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L21/363 | 分类号: | H01L21/363;H01L21/368;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 蒙建军 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: |
本发明公开了一种三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法,属于高质量铜锌锡硫薄膜吸收层制备技术领域,其特征在于,包括如下步骤:S1、在真空退火炉中,放置热舟,在舟上方放置前驱体膜,热舟中放置5g硫粉,抽真空到10 |
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搜索关键词: | 一种 硫化 工艺 制备 铜锌锡硫 薄膜 吸收 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造