[发明专利]一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法在审
| 申请号： | 201911150703.1 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111074227A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李冬强;姜凡;邵天 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/54 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210028 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法，其特征是通过固定晶片传送速度，调节A、B靶材的镀膜功率而达到晶片a、b两面的不对称性镀膜；其中晶片a面的镀膜量为在对称镀膜方法下达到标称频率时所需的镀膜量，晶片b面的镀膜量为在对称镀膜方法下达到标称频率且有适当预留量时所需的镀膜量；镀膜保有预留量的晶片b面用于单面刻蚀。优点：晶片a、b两面不对称性镀膜，保有预留量的晶片b面用于单面的微调刻蚀，在晶片达到标称频率时晶片a、b两面的镀膜量极为接近，弥补了单面刻蚀而造成的晶片两面不对称性。在性能上使得晶片具有更好的频率稳定性，更好的DLD特性等优点；同时降低了生产过程中昂贵靶材的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 弥补 单面 刻蚀 对称性 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
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