[发明专利]一种纳米碳球改性铜基电接触材料的制备方法在审
| 申请号： | 201911151225.6 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110842207A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 谷文伟 | 申请（专利权）人： | 谷文伟 |
| 主分类号： | B22F5/00 | 分类号： | B22F5/00;B22F1/02;C22C1/05;C22C9/00;H01H1/025;H01H1/027 |
| 代理公司： | 青岛科通知桥知识产权代理事务所(普通合伙) 37273 | 代理人： | 张晓 |
| 地址： | 266000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米碳球改性铜基电接触材料的制备方法，本发明利用伪共沉淀的方法将间苯二酚‑甲醛树脂(前驱体)均匀分散在铜粉颗粒表面，在一定温度下将间苯二酚‑甲醛树脂原位碳化形成纳米碳球(CSs)，从而制备第二相均匀弥散分布的纳米碳球改性铜基电接触材料。本专利通过前驱体伪共沉淀方法不仅解决了碳铜复合材料中碳的团聚问题，更加实现了纳米碳球的均匀弥散分布的目的；通过热挤压—轧制—冲压等环节，实现了碳铜复合材料高效的致密化，并且进一步提高碳在铜基体中的均匀弥散程度，从而提高了电触头的微观组织性能以及服役性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 改性 铜基电 接触 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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