[发明专利]一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的方法有效

专利信息
申请号: 201911155615.0 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN110760932B 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 孙聂枫;王书杰;史艳磊;邵会民;付莉杰;李晓岚;王阳;徐森锋;刘惠生;孙同年 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B15/02;C30B28/10
代理公司: 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 代理人: 王苑祥;张永霞
地址: 050000 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的方法,属于半导体技术领域,包括制备铟磷混合球、装料、保持高炉压和铟磷混合球低温、熔化覆盖剂、投料、合成与晶体生长步骤,是利用配比好的铟磷混合球直接熔化进行合成。将铟粉和磷粉混和均匀并压制成球状铟磷混合颗粒,再将铟磷混合球与氧化硼粉的混合物投入到具有氧化硼覆盖剂的熔体中,合成后原位进行晶体生长。该方法具有反应时间短、效率高、节省原材料的优点,并且可有效降低材料被沾污的风险,节省工序,降低材料制备成本。
搜索关键词: 一种 利用 混合物 制备 磷化 晶体 方法
【主权项】:
1.一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的方法,其特征在于包括以下步骤:/n1)制备铟磷混合球:将铟粉和红磷粉按设计的质量比混合均匀并压制成球状;/n2)装料:将铟磷混合球混合氧化硼粉置入炉体内的投料器中,将氧化硼块装入坩埚内;/n3)保持高炉压和铟磷混合球低温:保持铟磷混合球从投料器投至坩埚过程中低温,铟或磷不熔化、不气化,保持炉内压力大于磷化铟的离解压;/n4)熔化覆盖剂:给坩埚加热,熔化氧化硼块,氧化硼液覆盖坩埚底部;/n5)投料、合成与晶体生长:将铟磷混合球与氧化硼粉的混合物投入氧化硼液面下的坩埚内,同时控制坩埚温度使铟磷反应合成磷化铟,待磷化铟熔体量达到设定量后,调节温度,采用高压液封直拉法进行晶体生长。/n
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