[发明专利]一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构

摘要

本发明属于光波导技术领域，涉及一种SWG波导及耦合结构，所述SWG波导包括220nm厚硅波导核心层、3μm厚SiO2衬底及2μm厚SiO2上覆层，所述耦合结构包括第一结构和第二结构，所述第一结构为绝热锥形结构。本发明利用CMOS工艺中成熟的多层刻蚀技术，在引入第三个维度结构变化，得到了与0.18μm CMOS工艺兼容的SWG波导及耦合结构，且仿真结果表明，1.55μm的光可以在这种SWG波导中以低损耗传输，耦合结构在过渡阶数分别为10和20阶时，损耗分别为1.1db和0.5db，这一结果为利用CMOS工艺兼容制造SWG结构提供了很好的理论基础和技术支持。