[发明专利]一种用于钙钛矿气相生长的中间相及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种用于钙钛矿气相生长的中间相及其制备方法与应用，所述用于钙钛矿气相生长的中间相为B类气氛与无机组分薄膜生成；所述B类气氛为CH3NH3Cl、CH(NH2)2Cl、C4H9NH3I、C4H9NH3Br、C4H9NH3Cl、NH4Cl、NH3、CH2NH2COOH、H2O、C2H6OS、C4H6O2、CH3CH2OH、CH4N2O中的一种或多种；所述用于钙钛矿气相生长的中间相用于制备有机‑无机杂化钙钛矿半导体薄膜能够促进目标钙钛矿无机组分薄膜与有机组分气氛的反应速率；抑制目标钙钛矿的过饱和相生成；提升目标钙钛矿薄膜的均匀性；消除目标钙钛矿晶体缺陷；增大目标钙钛矿薄膜的晶粒尺寸。